鍍膜材料
對于蒸發(fā)鍍膜：
一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。
厚度均勻性主要取決于：
1。基片材料與靶材的晶格匹配程度
2、基片表面溫度
3. 蒸發(fā)功率，速率
4. 真空度
5. 鍍膜時(shí)間，厚度大小。
組分均勻性：
蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。
晶向均勻性：
1。晶格匹配度
2。 基片溫度
3。蒸發(fā)速率
高品質(zhì)真空鍍膜材料（4N-5N）：
1.氧化物:一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5，五氧化二鈮Nb2O5，五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3等高純氧化物鍍膜材料。
